硅基红外焦平面器件的原位纳米横向生长应变复合衬底研究

作者:时间:2015-06-07点击数:

当前大规模红外焦平面器件的研制需要大面积、低位错密度的碲镉汞材料。本研究以应用于红外焦平面器件的Si基应变复合衬底为研究对象,引入分子束外延原位横向生长ZnTe纳米图形衬底与HgTe/CdTe超晶格结构的新方法,研究大失配异质外延体系应力场作用下的原位横向生长动力学机理,通过具体的结构设计制备Si基应变复合衬底,以达到控制外延层中的位错走向,进一步降低Si基应变复合材料位错密度的目的;并建立相应的多层异质结构的应力应变计算模型,对Si基应变复合衬底的结构进行优化,以进一步提高Si基碲镉汞红外焦平面器件的性能与热可靠性。

该研究方向获得了国家自然科学基金项目的资助“硅基红外焦平面器件的原位纳米横向生长应变复合衬底研究”,负责人:王元樟;项目编号:61307115;科研经费49万元(含单位配套经费20万元);2014.1-2016.12。

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