新型镨离子掺杂真空紫外激发材料的高性能量子剪裁发光研究

作者:时间:2015-06-07点击数:

真空紫外(VUV)激发发光材料在等离子平板显示屏、无汞荧光灯等领域有重要应用价值,在理论上VUV激发光谱可以扩展稀土离子的Dieke能级图。目前VUV激发材料普遍存在基质晶体稳定性不好、VUV区吸收效率低和发光性能较差等缺点,因此筛选适合镨离子掺杂、稳定性良好、弱晶场强度的基质材料,实现镨离子在VUV激发下高性能量子剪裁发光具有重要意义。本项目拟以新型镨离子掺杂VUV激发材料为研究对象,通过晶体结构组成的计算分析和设计调控筛选基质晶体,实现镨离子量子剪裁发光。深入分析镨离子的稳态光谱和相关多重态的荧光动力学性能,总结晶体结构组成、晶格动力学特征和掺杂浓度对镨离子和基质晶体间能量传递的影响规律,研究能量传递、无辐射跃迁、荧光浓度猝灭等对镨离子掺杂VUV激发材料发光性能的影响,确定最佳镨离子掺杂浓度,获得一至两种掺杂镨离子高性能量子剪裁发光的VUV激发材料,为VUV激发材料的研究探索新方向。

该研究方向获得了国家自然科学基金项目的资助“新型镨离子掺杂真空紫外激发材料的高性能量子剪裁发光研究”,负责人:熊飞兵;项目编号:11104234;科研经费49万元(含单位配套经费20万元);2012.01-2014.12。

此外,该研究方向还获得了教育部留学回国人员科研启动金项目的资助“镨离子掺杂新型高效量子剪裁荧光粉研究”,负责人:熊飞兵;项目编号:(2012)940;科研经费6万元;2012.08-2015.07。

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