新型太阳能薄膜电池方向侧重于研究高效率HIT, PERC电池关键制程技术、原子层沉积技术应用于太阳能电池的研究单多晶太阳电池高效率制程技术、高效率硅基薄膜太阳电池制程技术、高效率异质接面(HIT)太阳电池技术、高效率硅基薄膜太阳电池理论模拟技术、高效率太阳电池硅芯片条件优化仿真模块。拟建立高效率太阳电池实验平台(研发基地)、建立学术研究(太阳电池研究方向)领导地位、争取国家自然基金研究项目投入开发研究、与太阳电池厂商建立实质合作关系并进行产学合作、投入关键性制程机台开发制造并发展设备国产制造技术、开设太阳电池专业课程并培养专业人才。

基于微纳结构的集成器件不断地微型化和集成化的发展趋势下，特征尺寸已经缩小到深亚微米和纳米量级以突破常规尺寸的性能极限，传统薄膜制备工艺越来越难满足其发展。原子层沉积（ALD）是一种新型的精确表层薄膜制备技术，其具有可沉积无针孔薄膜、高保形和膜厚纳米级可控生长的特点，在微电子、信息和光伏等领域的应用得到广泛的关注。高效率单晶硅太阳电池需要良好的表面钝化，本研究利用ALD制备氧化铝、氧化硅和氧化铪钝化层，探讨对于硅表面的场效钝化和化学钝化机理，并揭示后退火制程对ALD薄膜钝化的影响机理。另外本研究也延伸到钙钛矿太阳电池的氧化钛电子传输层制备，利用钽掺杂改变氧化钛导带位置，深入剖析钽掺杂对能带的调控机制，实现与钙钛矿材料的能带对齐。钽掺杂采用金属前驱物共注入技术，探讨薄膜沉积过程中钽和钛源之间的竞争作用并构建掺杂模型，改善原子层沉积二元金属氧化物的掺杂效率。

该研究方向投入1000余万元经费，设备都已经安装调试到位，占地面积约300平方米。该研究方面2019年度获批厦门市重大专项1项，国家自然科学基金项目1项，近三年来，主要承担的科研项目有：

国家自然科学基金项目：“脉冲激光诱导金属与锗反应接触界面微结构改性及杂质输运机理研究”，负责人：王尘；项目编号：61904155；科研经费23万元；2020.1-2022.12.

    厦门市重大科技计划项目子课题：“Micro-LED技术研发及产业化——ALD技术应用于Micro LED芯片侧壁保护的研究”，负责人：连水养；项目编号：3502ZCQ20191002；科研经费100万元 ；2019.6-2022.6。